Hi-tech: passo avanti dispositivi digitali, nasce transistor silicene

Nuovo passo avanti verso dispositivi digitali sempre più sottili e veloci. Grazie ad un team di ricercatori italiani e statunitensi è infatti nato il primo transistor in silicene che promette soluzioni innovative per la nanoelettronica. Il dispositivo è stato sviluppato da ricercatori italiani dell’Imm-Cnr e statunitensi dell’Università del Texas ed i risultati dello studio sono stati pubblicati su Nature Nanotechnology. Il neonato transistor in silicene "conferma ulteriormente l’applicabilità di questo materiale bidimensionale per dispositivi digitali sempre più miniaturizzati, con i quali si rivela particolarmente compatibile" spiega il Cnr che ha annunciato oggi il significativo passo avanti compiuto dalla scienza dei materiali.

A raggiungere l’obiettivo è stato il gruppo di ricercatori dell’Istituto di microelettronica e microsistemi del Consiglio nazionale delle ricerche (Imm-Cnr) di Agrate Brianza, guidato da Alessandro Molle, in collaborazione con un team dell’Università del Texas, a Austin, coordinato da Deji Akinwande.

"Il silicene è un materiale bidimensionale basato su atomi di silicio che non esiste in natura" afferma Molle. "L’attrattiva verso questo matriale è cresciuta esponenzialmente per la possibilità di integrarlo in dispositivi nanoelettronici con una miniaturizzazione estrema e per un vantaggio unico rispetto agli altri materiali bidimensionali, come il grafene: l'innata compatibilità con l'elettronica convenzionale basata su silicio" aggiunge il ricercatore del Cnr. Lo studio è stato realizzato nell’ambito del progetto europeo 2D-Nanolattices e del finanziamento 'Laboratori congiunti' del Cnr.